【摘 要】
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研究了不同氮化条件对蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN异质结材料特性的影响。研究表明,随着氮化过程NH3流量的增大,GaN外延层的晶体质量得到了改善,GaN内应力释放,但是AlGaN/Ga
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术重点实验室,
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研究了不同氮化条件对蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN异质结材料特性的影响。研究表明,随着氮化过程NH3流量的增大,GaN外延层的晶体质量得到了改善,GaN内应力释放,但是AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的迁移率有所恶化。讨论了上述现象出现的原因。
The effects of different nitridation conditions on the properties of AlGaN / GaN heterojunction grown on sapphire substrates were investigated. The results show that the crystal quality of the GaN epitaxial layer is improved and the stress in the GaN is released as the NH3 flow rate increases. However, the mobility of the two-dimensional electron gas in the AlGaN / GaN heterostructure is deteriorated. Discussed the reasons for the above phenomenon.
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