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【摘 要】
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研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度为２．０￣２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管。利用此工艺已试制
【机 构】
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航天工业总公司西安微电子技术研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1995年3期
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