【摘 要】
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本文介绍IRCCD的基本种类,叙述其结构形式、制作材料、目前存在的问题及改进措施。并评述其各方面及各种器件的发展前景,给出了典型器件、某些常见窄带半导体材料、非本征硅
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本文介绍IRCCD的基本种类,叙述其结构形式、制作材料、目前存在的问题及改进措施。并评述其各方面及各种器件的发展前景,给出了典型器件、某些常见窄带半导体材料、非本征硅红外材料和肖脱基势垒的主要性能参数表和国外正在研制的某些军用器件的一些参数。
This article describes the basic types of IRCCD, describes its structure, materials, the current problems and improvements. And reviews the development prospects of its various aspects and various devices. The main performance parameters of typical devices, some common narrowband semiconductor materials, extrinsic silicon infra-red materials and Schottky barriers are given and some of the Some parameters of military devices.
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