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利用射频磁控反应溅射法，以Ａｒ，ＣＨ４为原料气体，在较宽的工艺参数范围内制备出了ＧｅｘＣ１－ｘ薄膜，研究了极板间距对沉积的影响。结果表明，随极板间距的减小，沉积速率增大，薄膜的均匀性变差，薄膜中Ｇｅ／Ｃ的原子比增加。
极板间距对反应溅射GexG1—x薄膜的影响
【摘 要】
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利用射频磁控反应溅射法，以Ａｒ，ＣＨ４为原料气体，在较宽的工艺参数范围内制备出了ＧｅｘＣ１－ｘ薄膜，研究了极板间距对沉积的影响。结果表明，随极板间距的减小，沉积速率增大，薄膜的均匀性变差，薄膜中Ｇｅ／Ｃ的原子
【机 构】
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西北工业大学
【出 处】
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西北工业大学学报
【发表日期】
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1998年4期
【基金项目】
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航空科学基金
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