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使用Veeco C4机型实际生产磊芯片,通过激光光谱仪、X射线光谱仪仪器制成晶粒,由晶圆晶粒测试机点测各光电特性。文章实验是将井障通入三甲基铝形成AlGaN以及改变铝通入的量,结果一是找到最佳生长条件温度为865℃及压力250托;二是铝当量为6时亮度提升3.2%,表现最佳。文章提出此结构设计实验来提升蓝光发光二极体发光效率。