掺Sn改善UMG-Si铸锭中铁对少子寿命的影响作用

• 作 者: 何秋湘 李京伟 白枭龙 孙继飞 班伯源 刘加威 陈健
• 机 构: 中国科学院应用技术研究所
• 出 处: 材料导报
• 发表日期: 2016年18期
• 关键词: SN 杂质 Fe 多晶硅 少子寿命 Sn Fe impurity multi-crystalline silicon minority carrier l
• 基金项目: 国家自然科学基金（51404231,51474201）,安徽省自然科学基金（1508085QE81）,中国博士后科学基金（2014M561846）,中科院“百人计划”项目

为削弱有害杂质元素Fe对多晶硅性能的影响,采用Si-Sn微合金化的途径,研究Sn对不同Fe污染程度时提纯多晶硅（UMG-Si）定向凝固后少子寿命的变化。掺入30ppmw或100ppmw Fe杂质后,在Sn元素含量分别为0ppmw、15ppmw、30ppmw、50ppmw时,测试定向凝固多晶硅少子寿命变化。随着Fe含量增加硅锭少子寿命减少,初始杂质Fe含量为0ppmw、30ppmw、100ppmw时,硅锭中部平均少子寿命分别为0.81μs、0.52μs和0.40μs。掺入适量的Sn元素,能有效削弱杂质Fe的