有耗串联网络对GaAs FET信号参数和噪声参数的影响

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiachl141
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本文详细讨论了有耗串联网络对低噪声GaAs FET的信号参数和噪声参数的影响,以及同时获得噪声匹配和功率匹配的条件。以WC606型GaAs FET为计算实例表明:在频率为12GHz,当串联电感为0.1nH,负载反射系数为0.25∠120°时,可以同时获得噪声和功率匹配。但此时最小噪声系数将增加0.2dB,而相应增益下降1.0dB。 This paper discusses in detail the effect of the lossy series network on the signal parameters and the noise parameters of a low-noise GaAs FET, and at the same time obtains the conditions of noise matching and power matching. Taking the WC606 GaAs FET as an example, it is shown that noise and power matching can be achieved at a frequency of 12GHz with a series inductance of 0.1nH and a load reflection coefficient of 0.25∠120 °. But this time the minimum noise figure will increase 0.2dB, while the corresponding gain decreased 1.0dB.
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