RF-PECVD制备类金刚石膜的研究

• 作 者: 张华 杨坚 杨玉卫 王磊
• 机 构: 北京有色金属研究总院超导材料研究中心
• 出 处: 真空
• 发表日期: 2012年4期
• 关键词: 类金刚石膜 射频等离子体增强化学气相沉积 厚度均匀性

采用RF-PECVD法在锗（Ge）基片上沉积类金刚石（DLC）薄膜,研究了气体流量和气压对沉积区域均匀性的影响,以及基片厚度与沉积时间的关系。用拉曼光谱（Raman）分析DLC膜的结构组成,用傅立叶红外光谱仪（IR）对DLC膜的透过率进行了测量。结果表明,在气体流量为50 sccm,气压为10 Pa,功率800 W条件下薄膜厚度均匀性可达2.1%,极值透过率达62%。