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新歉25V IRFII4251D和1RFH4253D采用IR的新一代硅技术平和崭新的5mm×6mm PQFN封装，提供助率密度的新标准。全新电源模块组件配有高度集成的单片式FETKY，
创新的电源模块组件系列
【摘 要】
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新歉25V IRFII4251D和1RFH4253D采用IR的新一代硅技术平和崭新的5mm×6mm PQFN封装，提供助率密度的新标准。全新电源模块组件配有高度集成的单片式FETKY，
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2013年9期
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