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随着集成电路工艺的发展，集成电路后端物理设计变得越来越复杂，遇到了很多新的挑战。本文介绍了一款65nm工艺百万门级芯片的物理设计过程，论述了在布局规划、电源网络规划、时钟树设计、信号完整性、可制造性设计等方面的解决方案，提出了设计方法学上的改进，提高了后端物理设计效率和芯片的良率。
65nm工艺下百万门级芯片的物理设计
【摘 要】
：
随着集成电路工艺的发展，集成电路后端物理设计变得越来越复杂，遇到了很多新的挑战。本文介绍了一款65nm工艺百万门级芯片的物理设计过程，论述了在布局规划、电源网络规划、时钟
【机 构】
：
中国电子科技集团公司第三十八研究所
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2012年1期
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