【摘 要】
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日本三垦(Sanken Electric)公司制造出他们所说的首块采用Si上GaN(GaN/Si)的电源电路,该电路制造采用了其自家外延技术。这家日本公司已制造出栅宽157mm、阈值电压1V、导通电
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日本三垦(Sanken Electric)公司制造出他们所说的首块采用Si上GaN(GaN/Si)的电源电路,该电路制造采用了其自家外延技术。这家日本公司已制造出栅宽157mm、阈值电压1V、导通电阻72mΩ的常断型场效应晶体管,其泄漏电流比常规常断型场效应晶体管小四个数量级。该公司在一块演示倒
Japan’s Sanken Electric made what they called the first power-supply circuit using Si-on-GaN (GaN / Si), built using its own epitaxial technology. The Japanese company has manufactured a normally-off field effect transistor with a gate width of 157mm, a threshold voltage of 1V, and an on-resistance of 72mΩ, which is four orders of magnitude smaller than conventional normal-field effect transistors. The company poured in a demo
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