直立平板电极反应室中硅粉粒的表面刻蚀

• 作 者: 李战春 尹盛 赵亮 王敬义
• 机 构: 华中科技大学网络与计算中心,华中科技大学电子科学技术系
• 出 处: 华中科技大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2008年7期
• 关键词: 等离子体 粉粒表面刻蚀 沉降时间 刻蚀速率 plasma particulate surface etching drop time etching rate

在直立平板电极鞘层内进行了硅粉表面刻蚀,使硅粉的纯度由99%提高到99.97%.提出了鞘区中离子和高能氩原子的平均能量和通量方程,建立了包括高能中性粒子贡献的刻蚀速率计算式.实验和计算结果表明总的刻蚀速率可达到2.04×10^15/（cm^2·s）以上.文中还给出了反应区内粉粒沉降时间的方程和粉粒的收集判据.在一般工艺条件下,硅粉在反应区内的沉降时间为5-10 s,这意味着纯化目标必须经约40次循环才能实现.