【摘 要】
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相变材料Ge2Sb2Te5由于其独特的光学和电学性质,在光学记录、数据存储等方面具有广泛的应用.在航空航天、安检扫描等一些特定环境中,X射线辐照会使得相变材料发生结构和性能
【机 构】
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中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 北京 100029;中国科学院大学 北京 100049;中国科学院高能物理研究所 北京 100049
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相变材料Ge2Sb2Te5由于其独特的光学和电学性质,在光学记录、数据存储等方面具有广泛的应用.在航空航天、安检扫描等一些特定环境中,X射线辐照会使得相变材料发生结构和性能的变化,研究Ge2Sb2Te5在X射线辐照下的结构变化就非常必要.对Si衬底上50 nm厚的Ge2Sb2Te5薄膜材料采用X射线进行不同时间的照射,并利用高分辨率X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)分析了Ge2Sb2Te5的化学形态以及结构的变化.结果 表明:随辐照时间的增加,Ge2Sb2Te5薄膜材料中各元素化学状态及键合方式发生了改变,被氧化的程度也逐渐增强,表现为GeO2的XPS峰强度增强,Sb2O3、TeO2分别转变为更高金属价态氧化物Sb2O5和TeO3.研究还确定了Ge2Sb2Te5的极限照射时间为9 h,长时间的辐照作用,使得材料表面受到严重破坏,形成大量孔洞.通过研究Ge2Sb2Te5在X射线辐照下的结构变化,为Ge2Sb2Te5相变材料和器件的抗辐照机制及辐射加固技术的研究提供参考.
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