含有吸附络合物体系的示波分析及机理研究

• 作 者: 胡娟
• 机 构: 平顶山师专化学系!平顶山,467002
• 出 处: 平顶山师专学报
• 发表日期: 1997年S4期
• 关键词: 示波计时电位法 铟 铜铁试剂 吸附络合物 oscillographic chronopotentiometry indium cupferrom adso

In（Ⅲ）在pH=4．57的0．2mol．L-1HAc－0．4mol·L-1NaAc－0．1％V．C－0．006％HCuP溶液中，用示波计时电位法可获得良好的示波图，其切口电位Eh=0．90（VsSCE），切口高度与In（Ⅲ）浓度在8．0×10－7～1．4×10－5mol·L－1范围内成正比，检测下限可达5．0×10－7mol·L-1，测得吸附络合物组成为In（Ⅲ）：铜铁试剂=1：1，条件稳定常数为5．9×103．方法应用于含铟合金轴承