【摘 要】
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本文采用有限元二维数值分析方法揭示了微波凹槽栅结构 GaAs FET’s在工作状态下的内部物理图象,如载流子浓度分布、电位分布、电场分布以及速度分布等,并由此计算了一些重要
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本文采用有限元二维数值分析方法揭示了微波凹槽栅结构 GaAs FET’s在工作状态下的内部物理图象,如载流子浓度分布、电位分布、电场分布以及速度分布等,并由此计算了一些重要的器件参数与凹槽深度的关系.以此为基础,本文分析并讨论了一些有关的器件物理问题,如:器件内部的电偶极层的状况、有效栅长的概念,凹槽栅结构之所以在微波功率器件及低噪声器件二个方面的性能均优于平面栅结构的原因.
In this paper, the finite element two-dimensional numerical analysis method is used to reveal the internal physical images of microwave notch-gate GaAs FET's under operating conditions, such as carrier concentration distribution, potential distribution, electric field distribution and velocity distribution, Based on this, some related physical issues are discussed and discussed, such as the condition of the electric dipole inside the device, the concept of effective gate length, The reason why the structure is superior to the planar gate structure in both the microwave power device and the low noise device.
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