【摘 要】
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本文分析了低压(低工作电压)射频功率晶体的特征,并由此导出了这类晶体管的设计原则.最后,作为一个实例,给出了f_o=470MHz,V_(cc)=12V,P_o=25W,G_p(?) 5dB的低压射频功率晶体
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本文分析了低压(低工作电压)射频功率晶体的特征,并由此导出了这类晶体管的设计原则.最后,作为一个实例,给出了f_o=470MHz,V_(cc)=12V,P_o=25W,G_p(?) 5dB的低压射频功率晶体管的设计图形和实验结果.
In this paper, the characteristics of low voltage (low operating voltage) RF power crystal are analyzed, and the design principles of these transistors are derived.Finally, as an example, f_o = 470MHz, V_c = 12V and P_o = 25W , G_p (?) 5dB low-voltage RF power transistor design graphics and experimental results.
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