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采用ＲＦ反应溅射法在Ｓｉ（１１１）、玻璃衬底上制备了具有良好Ｃ轴承向的多晶ＺｎＯ薄膜。用ＸＲＤ分析了沉积条件（衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类）对样品结构的影响，发现（１）薄膜的取向性随着衬底温或高而增强，超过４００℃后薄膜质量开始变差；（２）工作气体中氧与氩气压比（Ｐｏ２／ＰＡｒ）为２：３时，薄膜取向性最好；（３）薄膜晶粒尺寸１１－３４ｎｍ，相同沉积条件下，单晶硅衬底样品（００２）衍