在室温下量子点发射稳定的1.3μm光

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日本富士通实验室的研究人员描述了如何制造在室温下可发射1.3μm光的量子点激光器。这种由InGaN/GaN组成的量子点是由分子束外延生长而成.这种边缘类型的激光器有一个2~3x1010/cm2的量子点密度,这个数值两倍于以前报道的,并具有900μm的腔长 Researchers at Fujitsu Laboratories in Japan described how to make quantum dot lasers that emit 1.3 μm light at room temperature. This quantum dot made of InGaN / GaN is grown by molecular beam epitaxy. This edge-type laser has a quantum dot density of 2 to 3 × 10 10 / cm 2, which is twice as large as previously reported and has a cavity length of 900 μm
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