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基于密度泛函理论的总体能量平面波模守恒赝势方法,对掺杂Si、Ge、Sn的ZnO的电导率和光学性质进行了理论研究.结果表明,掺杂后晶格常数随着杂质原子序数的增大而增大.ⅣA族元素对Zn的替代可以提高ZnO的载流子浓度和电导率.ZnO:Si的载流子浓度最大,ZnO:Sn的电导率最大.ⅣA族元素对Zn的替代使得ZnO的吸收和反射都降低.此外,掺Sn的ZnO由于在可见光区吸收小和反射小,更适合用于制备高质量的透明导电氧化物.理论计算的结果与实验结果相一致.