【摘 要】
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硅基硅锗材料由于与成熟的硅微电子工艺兼容，加上优越的性能,在硅基光电子器件如光电探测器、场效应晶体管等方面得到了广泛的应用。III-Ⅴ族半导体材料在1.3~1.55μm具有较大
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硅基硅锗材料由于与成熟的硅微电子工艺兼容，加上优越的性能,在硅基光电子器件如光电探测器、场效应晶体管等方面得到了广泛的应用。III-Ⅴ族半导体材料在1.3~1.55μm具有较大的吸收系数，是理想的吸收区材料；然而，III-Ⅴ族半导体材料价格昂贵、导热性能不好，机械性能较差，并且与现有成熟的硅基工艺兼容性差，限制了其在光电集成技术中的应用。而SiGe材料与Si基微电子器件的制作工艺相兼容，应变的外延Ge材料吸收波长扩展到了1.6μm以上，因此研究Si基外延纯Ge探测器引起人们极大兴趣。本文综述了硅基硅锗材料
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