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期刊论文
光电子集成电路材料制作工艺的进展
光电子集成电路材料制作工艺的进展
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:suibianyidianyaoshi
【摘 要】
:
光电子集成电路的未来进步主要取决于Ⅲ-Ⅴ族材料的合成技术,特别是汽相外延和分子束外延技术的持续进展,以及各种材料加工技术的发展。本文将对此作比较详尽的叙述。
【作 者】
:
杨清宗
【机 构】
:
机电部44所四川永川
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
1991年2期
【关键词】
:
集成电路
半导体材料
工艺
光电子
Optoelectronic Integrated Circuit
Semiconductor Material
Ⅲ-Ⅴ
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光电子集成电路的未来进步主要取决于Ⅲ-Ⅴ族材料的合成技术,特别是汽相外延和分子束外延技术的持续进展,以及各种材料加工技术的发展。本文将对此作比较详尽的叙述。
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