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低电压下工作的场发射真空电子器件，要求尖锐的发射极锥尖和较小的发射极与阳极间距，因此要求首先制作出很小的门极孔径。采用接触曝光、金属剥离、氧化削尖等方法的结合，探索了几种制造具有亚微米级场发射阵列阴极栅孔ＶＭＥＤ的工艺途径。
亚微米门极孔径VMED
【摘 要】
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低电压下工作的场发射真空电子器件，要求尖锐的发射极锥尖和较小的发射极与阳极间距，因此要求首先制作出很小的门极孔径。采用接触曝光、金属剥离、氧化削尖等方法的结合，探索了
【机 构】
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河北半导体研究所
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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1994年3期
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