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4H-SiC材料在SF6/O2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cyh_sh

【作 者】

：

王进泽 杨香 钮应喜 杨霏 何志 刘胜北 颜伟 刘敏 王晓东 杨 

【出 处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2015年01期

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