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与 SiC_p 增强的艾尔合金被 pressurelessinfiltration 的方法制作。象艾尔合金的微失真行为上的 SiC_p 尺寸,体积部分,矩阵材料和热处理过程那样的因素的效果被调查。结果证明 thatmicrodistortion 与 SiC_p 尺寸减少并且 SiC_p 体积部分增加一起减少。矩阵材料在微失真行为,和答案老化上有影响能改进微失真行为。与微失真行为有关的应力和剩余紧张被模仿由女性。紧张和压力的分发不是对称的,这被发现;在接口的剩余紧张和应力比在另外的地方的那些高;在一个粒子的