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分析了静态存储器的待机节电模式,介绍了构成非易失性SRAM两种方法:一是利用非易失性RAM控制器和静态存储器构成NVSRAM;二是利用继电器和静态存储器构成NVSRAM.
构成大容量非易失性SRAM方法分析
【摘 要】
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分析了静态存储器的待机节电模式,介绍了构成非易失性SRAM两种方法:一是利用非易失性RAM控制器和静态存储器构成NVSRAM;二是利用继电器和静态存储器构成NVSRAM.
【机 构】
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安徽财贸学院棉花工程研究所
【出 处】
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电测与仪表
【发表日期】
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2002年2期
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