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为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应力下的寿命数据。
基于加速退化试验的模拟IC寿命评估研究
【摘 要】
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为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十四研究所,西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室,北京航空航天大学可靠性与系统工程学院,
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2014年04期
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