【摘 要】
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研究了大功率列阵器件的量子阱结构、材料生长、列阵结构、隔离技术与封装技术，研制出６条层叠ＧａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ量子阱激光器列阵，其峰值功率为４０４Ｗ（２０Ｈｚ，２００μｓ），电－光转换效率高达４３．３％。
Six stacked GaAs / AlGaAs
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研究了大功率列阵器件的量子阱结构、材料生长、列阵结构、隔离技术与封装技术，研制出６条层叠ＧａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ量子阱激光器列阵，其峰值功率为４０４Ｗ（２０Ｈｚ，２００μｓ），电－光转换效率高达４３．３％。
Six stacked GaAs / AlGaAs quantum well laser arrays with a peak power of 404W (20Hz, 200μs) were fabricated with quantum well structure, material growth, array structure, isolation technology and packaging technology in high power array devices. Electro-optical conversion efficiency up to 43.3%.
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