材料色散对1维光子晶体缺陷模影响的研究

• 作 者: 熊翠秀 蒋练军
• 机 构: 湖南城市学院通信与电子工程学院
• 出 处: 激光技术
• 发表日期: 2013年6期
• 关键词: 光电子学 缺陷模频移 传输矩阵法 材料色散 optoelectronics frequency shift of defect modes transfer m

为了分析材料色散对缺陷模的影响，对色散材料采用洛伦兹振子模型，利用传输矩阵法计算了含缺陷1维光子晶体的透射谱，分析了各层的色散对该结构1维光子晶体缺陷模的影响。结果表明，无论是高、低折射率介质还是缺陷层的色散都可以引起缺陷模的频移或分裂；缺陷模的频移方向与考虑色散后光学厚度的变化有关，如果光学厚度增大，则发生红移，反之则发生蓝移；低折射率介质的色散使缺陷模频移的效果最显著。这一结果对光子晶体的设计和研究有一定的参考价值。