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用PLD方法在Si（111）衬底上制备了ZnO薄膜．在薄膜的沉积过程中，用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪（RHEED）对薄膜的生长进行了原位监测．结合薄膜的X射线衍射（XRD）分析和荧光光谱（PL）分析，发现达到或者超过650℃时生长的薄膜，结构和光学特性得到了显著的改善。
PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究
【摘 要】
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用PLD方法在Si（111）衬底上制备了ZnO薄膜．在薄膜的沉积过程中，用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪（RHEED）对薄膜的生长进行了原位监测．结合薄膜的X射线衍射（XRD）分析和荧
【机 构】
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大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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哈尔滨工业大学学报
【发表日期】
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2006年10期
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