硅、铈、锑和锡对块状石墨形成的影响

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用电解铁,高纯硅,石墨,纯铈,锑和锡制成含有不同硅、铈、锑和锡含量,且C%+1/3Si%=4.45%的13种母合金。每种合金用高纯度氧化铝坩埚在1 450℃,氩气保护下的电炉中重熔,然后在30 K/min速率下冷却,获得冷却曲线。用光学显微镜和扫描电镜观察它们的石墨形貌。为了讨论硅和铈含量对块状石墨形成的影响,进行了试验。在第一个试验中,变化了0.15%硅铈合金中的硅含量从0到4%;在第二个试验中,使用了含有0.1%和0.2%不同铈量的3.5%和4%硅的试样。在第三个试验中,使用了含铈0.1%,含硅4%的试样,研究了锑和锡对块状石墨形成的影响。试验结果表明,硅含量大于3.0%,块状石墨的体积分数会增加。随后讨论了不同含量的硅和铈对块状石墨形成的影响。不能确定3.5%和4.0%的硅量差对块状石墨形成的差别,证实了含有0.2%铈的样品中块状石墨的体积分数大于0.1%铈的试样。由于高硅含量,还不能确定锑和锡的加入对防止块状石墨形成的作用,还需要做进一步的研究。 Thirteen master alloys containing different contents of silicon, cerium, antimony and tin with C% + 1/3 Si% = 4.45% were made from electrolytic iron, high purity silicon, graphite, pure cerium, antimony and tin. Each alloy was remelted in a high-purity alumina crucible at 1,450 ° C under an argon atmosphere in an electric furnace and then cooled at a rate of 30 K / min to obtain a cooling curve. Their morphology was observed by optical microscope and scanning electron microscope. In order to discuss the influence of silicon and cerium content on the formation of bulk graphite, experiments were carried out. In the first experiment, the silicon content in 0.15% cerium-cerium alloy was varied from 0 to 4%; in the second experiment 3.5% and 4% silicon with 0.1% and 0.2% different amounts of cerium Sample. In the third experiment, a sample containing 0.1% cerium and 4% silicon was used to study the effect of antimony and tin on the formation of bulk graphite. The experimental results show that the silicon content of more than 3.0%, the volume fraction of lump graphite will increase. The effects of different amounts of silicon and cerium on the formation of bulk graphite are subsequently discussed. The difference in bulk density of 3.5% and 4.0% silicon from bulk graphite was not confirmed, confirming that the sample containing 0.2% cerium had a volume fraction of bulk graphite greater than 0.1% cerium. Due to the high silicon content, it is not yet possible to determine the effect of antimony and tin addition on preventing the formation of lump graphite. Further study is needed.
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