【摘 要】
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据《今日电子》2003年4期报道,International Recitifer公司推出新型WARP 2 600V/50 A,35 A和20 A不穿通(NPT)的IGBT,改善了大电流开关电源(SMPS)的关断性能。WARP2 IGBT和H
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据《今日电子》2003年4期报道,International Recitifer公司推出新型WARP 2 600V/50 A,35 A和20 A不穿通(NPT)的IGBT,改善了大电流开关电源(SMPS)的关断性能。WARP2 IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起,采用IR的薄硅晶片技术制造,能保证少数载流子的耗尽时间更短,从而加快关断,可以忽略关断尾巴电流,关断开关损耗
International Recitifer Corporation introduced the new WARP 2 600V / 50A, 35A, and 20A non-through (NPT) IGBTs to improve the turn-off performance of the high-current SMPS, according to “Today’s Electronics” Together, the WARP2 IGBT and HEXFRED diodes are manufactured using IR’s thin silicon wafer technology to ensure minority carrier depletion time is shortened for faster shutdown with negligible turn-off tail current and turn-off switching losses
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