【摘 要】
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采用半导体激光器制备了硅基AlGaInP发光二极管,研究了激光能量密度、重复频率及平台加工速度对加工效果的影响,利用电子显微镜等测试工具分析了经激光加工后的硅基LED芯片表
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采用半导体激光器制备了硅基AlGaInP发光二极管,研究了激光能量密度、重复频率及平台加工速度对加工效果的影响,利用电子显微镜等测试工具分析了经激光加工后的硅基LED芯片表面和侧面形貌等结构特性,获得了较优的加工参数。
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