论文部分内容阅读
以正丙醇锆和正硅酸乙酯分别为锆源和硅源，结合非水解溶胶-凝胶法和提拉镀膜工艺制备出硅酸锆（ZrSiO4）薄膜。采用XRD、FTIR、SEM、AFM等分析测试手段研究了前驱体浓度、提拉速度对ZrSiO4合成、ZrSiO4薄膜形貌及显微结构的影响，并研究薄膜的抗碱液腐蚀性能。结果表明：当前驱体浓度为0．1mol／L、提拉速度为1mm／s时可以在单晶硅片获得表面光滑、平整致密、无开裂的ZrSiO4薄膜。镀有ZrSiO4薄膜的单晶硅片在浓度为40％NaOH溶液中40℃条件下浸泡42h，表面只发现有较小的坑蚀，且质