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根据2006年国际半导体技术蓝图（ITRS）介绍，由于槽和孔结构深度、形状的多样化，以及清洗和化学机械抛光（CMP）引起的减薄效应，使得互连成为下一代制造技术的一大核心挑战。ITRS还提到：“传统的互连线等比例缩减技术已经不能满足性能的要求。需要确定和寻找超越铜互连和低k技术的解决方案，将会需要加速的设计、封装方法以及新型互连技术。”