功率应用中的P淘道和N沟道MOSFET

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MOSFET是大多数开关电源(SMPS)中晶体管的选择.MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率.为了在功率应用中选择最好的开关,本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较.rn业内认为,MOSFET是用于能量转换的最佳方案.事实上,它代表金属氧化物半导体场效应晶体管.目前,N沟道MOSFET在选择和应用的数量上都多于P沟道MOSFET.这主要是因为N沟道MOSFET有着两者中最好的RDS(on).MOSFET是多数载流子元件,这就意味着N沟道MOSFET是用电子传导电流的.P沟道MOSFET则相反,用空穴导电.
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