退火处理对氢化纳米晶/非晶硅两相薄膜的结构和光学性能的影响

• 作 者: 陈红敏 丁建宁 王秀琴 郭立强 袁宁一
• 机 构: 常州大学低维材料微纳器件及系统研究中心,江苏大学微纳米研究中心,常州市新能源重点实验室
• 出 处: 常州大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2010年3期
• 关键词: 氢化纳米晶/非晶硅两相薄膜 退火处理 稳定性 hydrogenared nanocrystalline/amorphous silicon films ann

利用等离子化学气相沉积（PECVD）方法低温制备不同晶态比的氢化纳米晶/非晶硅两相薄膜,在高纯氮气下对其进行不同温度（300-500℃）的退火处理,并利用X射线衍射（XRD）？拉曼光谱（Raman）、原子力显微镜（AFM）、傅里叶红外光谱（FT-IR）和紫外-可见光透射谱（UV-VIS）对其结构和光学性能进行研究。结果显示400-500℃退火在一定程度上提高了低晶态比的氢化纳米硅/非晶硅两相薄膜的结晶度,而高晶态比的氢化纳米硅/非晶硅两相薄膜在500℃下退火20 min,其结构和光学特性显示出比较好的热稳