【摘 要】
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为了完成有源芯片上小孔径、高深宽比硅通孔(TSV)的制作,研究了基于电感耦合等离子体(ICP)技术的SiO2微孔深刻蚀工艺,实现了以C4 F8/Ar为刻蚀气体源、刻蚀速率为0.612 μm/mi
【机 构】
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西安徽电子技术研究所,西安710065
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为了完成有源芯片上小孔径、高深宽比硅通孔(TSV)的制作,研究了基于电感耦合等离子体(ICP)技术的SiO2微孔深刻蚀工艺,实现了以C4 F8/Ar为刻蚀气体源、刻蚀速率为0.612 μm/min、刻蚀选择比为2.122、刻蚀角度为80.573°的SiO2微孔刻蚀;优化了小孔径、高深宽比TSV刻蚀形貌.通过降低衬底温度,消除了“咬边”现象,通过缩短单步循环中刻蚀时间和钝化时间,减小了“扇贝”尺寸,实现了TSV孔径约为5μm、深宽比为10∶1、侧壁光滑、无“咬边”现象的TSV刻蚀.结合优化后的SiO2微孔刻蚀工艺和小孔径、高深宽比TSV刻蚀工艺完成了表面具有约10 μm厚的SiO2、孔径约为5μm、深宽比大于10∶1的TSV刻蚀.
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