AlGaN／GaN HEMT材料外延技术研究

• 作 者: 杨红伟 刘英斌
• 机 构: 中国电子科技集团公司第十三研究所
• 出 处: 微纳电子技术
• 发表日期: 2007年4期
• 关键词: 金属有机物化学气相淀积 蓝宝石 碳化硅 高电子迁移率晶体管 在位监测 MOCVD sapphire SiC HEMT in-situ monitor

采用低压MOCVD技术在蓝宝石和SiC衬底上生长了本征GaN和AlGaN／GaNHEMT结构材料。生长过程中采用了EpiTUNE Ⅱ在位监测技术，对材料生长工艺进行了模型分析以及优化控制。在获得具有良好表面形貌、晶体质量以及光荧光谱的GaN本征材料基础上，生长了AlGaN／GaNHEMT结构材料，获得了良好的2DEG性能。