【摘 要】
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为开发适合制备ZGO靶材的超细β-Ga2O3纳米粉末,以金属镓、硝酸、盐酸、氨水为原料,对化学沉淀法制备纳米氧化镓粉末的过程进行了研究。通过严格控制实验条件制备出了单斜相
【机 构】
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华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室,河北钢铁技术研究总院,
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为开发适合制备ZGO靶材的超细β-Ga2O3纳米粉末,以金属镓、硝酸、盐酸、氨水为原料,对化学沉淀法制备纳米氧化镓粉末的过程进行了研究。通过严格控制实验条件制备出了单斜相、粒度分布均匀的β-Ga2O3纳米粉末,并以其为原料制备了可直流磁控溅射的超高密度GZO陶瓷靶材。
In order to develop an ultrafine β-Ga2O3 nanopowder suitable for the preparation of ZGO target, the process of preparing nano-gallium oxide powder by chemical precipitation was studied by using metal gallium, nitric acid, hydrochloric acid and ammonia as raw materials. The β-Ga2O3 nanopowder with monoclinic phase and uniform particle size distribution was prepared by controlling the experimental conditions strictly. The ultra-high density GZO ceramic target with DC magnetron sputtering was prepared.
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