碳热还原法合成TiB_2-SiC复合粉末及其机理分析

• 作 者: 胡继林 肖汉宁 李青 郭文明 高朋召 施浩良
• 机 构: 湖南大学材料科学与工程学院,湖南人文科技学院化学与材料科学系
• 出 处: 湖南大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2012年2期
• 关键词: 碳热还原法 TiB2-SiC 复合粉末 合成 生长机理 carbothermal reduction TiB2-SiC composite powders

以硅溶胶、炭黑、TiO2和B4C为原料,采用碳热还原法合成TiB2-SiC复合粉末.研究了反应温度、TiO2添加量对合成TiB2-SiC复合粉末的物相组成和显微形貌的影响;对反应过程进行了热力学分析和计算,并探讨了TiB2-SiC复合粉末的生长机理.结果表明：TiB2-SiC复合粉末适宜的合成条件为在1 600℃保温1h.在反应过程中,TiB2先于SiC生成,TiB2的生成改变了SiC的生长方式.当复合粉末中TiB2的质量分数为10%左右时,SiC的合成过程由气-固（V-S）反应转变为气-固（V-S）和气