【摘 要】
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本文评述了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)硅外延技术的发展。叙述了PECVD外延的基本原理、设备与工艺以及目前取得的最新实验结果。同时也指出了PECVD外延在用于工业生产
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本文评述了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)硅外延技术的发展。叙述了PECVD外延的基本原理、设备与工艺以及目前取得的最新实验结果。同时也指出了PECVD外延在用于工业生产时所必须克服的困难。
This article reviews the development of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) silicon epitaxy. Describes the basic principles of PECVD epitaxy, equipment and technology as well as the latest experimental results obtained. It also points out the difficulties that PECVD epitaxy has to overcome when used in industrial production.
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