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本文通过阴极恒电位方法在ITO电极上修饰SnS薄膜，优化了镀膜条件并对修饰电极通过SEM、电化学等性能进行了表征。研究了鲁米诺在SnS／ITO修饰电极上的ECL行为，研究发现SnS的存在可以促进ECL的增强，ECL的强度同鲁米诺的浓度成正比，鲁米诺的最低检测限可达到3．9×10^-11mol／L。另外，基于超氧化物歧化酶（SOD酶）可以抑制鲁米诺的电致化学发光的原理，利用该修饰电极建立了一种SOD测定ECL方法，测定的线性范围为2．4×10^5U／L．2．16×10^6U／L