紫外成像用高响应ZnS肖特基光电二极管阵列

• 作 者: 沈大可 韩高荣 S.Y.Au 葛惟昆 I.K.Sou
• 机 构: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027；香港科技大学物理系,九龙,香港浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;香港科技大学物理系,九龙,香港
• 出 处: 城市道桥与防洪
• 发表日期: 2002年8期
• 关键词: ZnS肖特基 光电二极管阵列 分子束外延 高响应度

基于分子束外延(MBE)生长技术,制备出了新颖的8×8 ZnS肖特基光电二极管阵列,研究了制备该器件的标准光刻,金属沉积,湿化学腐蚀,SiO2绝缘层沉积等一系列微电子处理工艺.该肖特基光电二极管阵列的光谱响应截止边为340nm.在400～250nm的可见光盲区域,光电响应测试显示该器件在截止边波长处具有0.15A/W的高响应度,相对应的量子效率为55%.成像测试显示该器件具有良好的紫外成像特性.