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利用有效质量近似和变分原理，对直接带隙Ge／Si1-xGex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究．结果表明：直接带隙Ge／Si1-xGex量子阱中带间光跃迁能、激子复合时间和基态振子强度依赖于阱宽和Si1-xGe中Ge含量．当阱宽大于30nm时，跃迁能、激子复合时间、振子强度对Ge含量和阱宽的变化不敏感；基态线性光极化率随着Ge含量的增加而减小，同时光极化率峰值所对应的光子能量减小．