【摘 要】
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提出了采用聚酰亚胺(PI)作为非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-film Tran-sistors,TFT)钝化层 的制备工艺.PI成膜采用旋涂工艺,可减少钝化层成膜工艺对TFT器件沟道层的破坏,降低对器件性能的影响.PI可作为有效的钝化层,从而避免因有源层a-IGZO沟道表面气体分子吸附效应造成的TFT器件特性恶化.此外,采用PI作为钝化层的a-IGZO TFT器件,其负栅压应力(Negative Gate-bias Stress,NBS)下稳定性得到改善,可能与PI烘烤固化过程中扩散进
【机 构】
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北京大学深圳研究生院信息工程学院,广东深圳518071;深圳市道尔顿电子材料有限公司,广东深圳518000
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提出了采用聚酰亚胺(PI)作为非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-film Tran-sistors,TFT)钝化层 的制备工艺.PI成膜采用旋涂工艺,可减少钝化层成膜工艺对TFT器件沟道层的破坏,降低对器件性能的影响.PI可作为有效的钝化层,从而避免因有源层a-IGZO沟道表面气体分子吸附效应造成的TFT器件特性恶化.此外,采用PI作为钝化层的a-IGZO TFT器件,其负栅压应力(Negative Gate-bias Stress,NBS)下稳定性得到改善,可能与PI烘烤固化过程中扩散进入器件内部的氢(H)钝化有源层内的缺陷相关.
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生物量是反映大田小麦生长的重要指标之一,孕穗期是小麦关键生长时期.为准确获取小麦孕穗期生物量,利用HJ-A数据,结合偏最小二乘法(PLS)和主成分分析(PCA)分别建立及评价小麦孕穗期生物量的多变量预估模型.结果 表明:利用HJ-A数据获取小麦孕穗期生物量可行,且由HJ-A数据提取的植被指数之间存在显著的多重相关性.该PLS模型和PCA模型的最优主成分数分别为5和3个,并利用降维分析法可消除植被指数之间的多重共线性.利用3种样本数据进行评价,该PLS模型的决定系数(R2)均大于0.70,均方根误差(RMS
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在600℃下在蓝宝石衬底上外延生长了GaN薄膜,研究了热氧化温度对GaN薄膜的微观结构和光学特性的影响.实验表明600℃生长的GaN薄膜结晶质量较差,随着热氧化温度逐渐增加,GaN薄膜的结晶质量逐渐提高,当温度提高到900℃时,GaN和Ga2O3的相共存.表面粗糙度均方根随着热氧化温度的增加而增加.所有样品在可见光区域都具有较高的透过率且存在明显的震荡干涉条纹,随着热氧化温度的增加,光学带隙宽度由3.38 eV降低到3.37 eV.
以一种新型脲基超支化聚合物为改性剂,对低摩尔比三聚氰胺-尿素-甲醛(MUF)树脂进行改性,并对热压工艺参数进行优化,探讨脲基超支化聚合物改性剂添加量、热压温度、热压因子、板材密度、施胶量等因素对中密度纤维板性能的影响.结果表明:当改性剂添加量为2%,热压温度为185℃,热压因子为20 s/mm,施胶量为14%,板材密度为850 kg/mm3时,纤维板的性能较佳.该工艺条件下中密度纤维板的结合强度及耐水性能改善效果显著,与对照组相比,内结合强度提升109%,表面结合强度提升93%,24 h吸水厚度膨胀率下降
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