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提出了一种新的减小硅集成电感衬底损耗的方法。这种方法是直接在硅衬底形成间隔的pn结隔离以阻止螺施电感诱导的涡流。衬底pn结间隔能用标准硅工艺实现而不需另外的工艺。本文设计和制作了硅集成电路，测量了硅集成电感的S参数并且从测量数据提取了电感的参数。研究了衬底结隔离对硅集成电感的品质因素Q的影响。结果表明一定深度的衬底结隔离能够取得很好的效果。在3GHz，衬底pn结隔离能使电感的品质因素Q值提高40％。