用电共沉积方法制备InGaAs薄膜

来源 :材料研究学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wb95879981

【摘要】

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用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、

【作者】

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王喜莲李浴春韩爱珍高元恺杨志伟

【机构】

：

哈尔滨工业大学,山东大学

【出处】

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材料研究学报

【发表日期】

：

2001年4期

【关键词】

：

InGaAs薄膜电共沉积铟镓砷半导体薄膜制备 Electrodeposition Indium compounds

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用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V-I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大.InGaAs薄膜的发射光波长为1.3～1.5μm.

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