Crystallization of μc-Si on plastic substrate by using a pulsed double-frequency YAG laser

• 作 者: LI Juan MENG Zhi-guo LI Yang W
• 机 构: InstituteofPhotoelectronics,TheTianjinKeyLaboratoryofPhotoelectronicThinFilmDevicesandTechnology,Min
• 出 处: 光电子快报：英文版
• 发表日期: 2008年3期
• 关键词: 晶体 塑料 脉冲技术 激光器 CLC numbers TN304.1+2
• 基金项目: This work has been supported by “863” Project of National Ministry of Science and Technology （No. 2004AA33570）, Key Project of NSFC （No. 60437030） and Tianjin Natural Science Foundation （No.05YFJMJC01

微晶质的硅的薄电影晶体管(TFT )(渭 c -Si) 能比 poly-Si TFT 的比 a-Si 和更好的一致性的提供更高的活动性和稳定性，并且被用于大区域的 AMOLED 将是更合适的。由使用退火的 2 蠅 Y AG 激光，水晶的渭 c -Si 塑料底层上的薄电影被调查了，为结晶化需要的合适的激光精力被显示了。因为小时的一些能被减少省略，除氢作用才在 300 鈥 ? 处理 50 掳 C H 在结晶化先锋满足，它对塑料底层上的激光结晶化合适。水晶的体积部分(Xc ) 和结果的渭 c -Si 的谷物尺寸