Al：ZnO的电子性质、光学性质及电性质的理论研究

• 作 者: 张飞鹏 杜亚冰 房慧 李凡生 余小英 王新练 王朝勇 张光磊
• 机 构: 河南城建学院数理学院,石家庄铁道大学材料科学与工程学院,广西民族师范学院物理与电子工程系,北京工业大学材料学院教育部新型功能材料重点实验室
• 出 处: 河南城建学院学报
• 发表日期: 2018年1期
• 关键词: ZnO块体材料 AL掺杂 电子结构 光学性能 电性质 ZnO bulk materials A1 doping electronic structures op
• 基金项目: 国家自然科学基金（11404219）,自然科学教育部项目（2011A140020）,河南省科技研究项目（102102210037）

应用第一原理方法研究了n型A1：ZnO块体材料的几何结构、能带、态密度分布、电子分布、光学性质和电性质。分析结果表明：ZnO晶胞略有收缩，晶胞0，b，C轴均减小；掺杂ZnO块体材料导带和价带之间具有0．85eV的直接带隙，能隙宽度减小；态密度分布在费米能级附近大大增加，这些状态主要由Als、Alp、Zns、Ov构成，且Zns、Als、Alp和Op之间存在着强偶合相互作用，其中Zns态、Als态和Alp态电子对导带贡献最大，A1：ZnO块体材料呈现宽的吸收范围和高的吸收率。A1：ZnO块材的Zns-Als-