背景辐射对0.1eVHgCdTe光导探测器性能的影响

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——详细计算并讨论了背景辐射对0.1eVHgCdTe(77K)光电导探测器性能的影响以及接近或达到背景辐射限的条件.在计算中,除考虑到辐射在探器中的多次反射外,还考虑了探测器的表面复合以及厚度的变化.并由过(?)载(?)子的连续性方程,导出了探测器量子效率的普遍表达式. - The effects of background radiation on the performance of a 0.1eVHgCdTe (77K) photoconductive detector and the conditions of approaching or reaching the background radiation limit are calculated and discussed in detail.In addition to considering the multiple reflection of the radiation in the detector, The surface recombination of the detector and the change of the thickness are also considered, and the general expression of quantum efficiency of the detector is derived from the continuity equation of the (?
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